迭代更新加速 SK海力士与三星提出新一代HBM路线图

　　半导体的技术发展对于电脑硬件有着重要的影响力，在过往几年时间里面可以看到半导体技术的大规模革新让电脑硬件的性能以及规格得到发展，如新的内存标准、Soc架构革新都是得益于技术的进步，而高带宽内存或HBM可能是让显卡产品潜力得到重大革新的一个生态系统要素。

　　20115年AMD公布了其旗舰级显卡Radeon R9 FunyX显卡，这款产品也是首次使用了SK海力士开发的HBM，高达512GB/s的数据传输量在当时的市场中的其他显卡产品无法比拟。而一年后，三星加大了自己HBM2芯片的产品，也在之后成为了NVIDIA Tesla P100超大规模芯片的一部分。

　　虽然目前主流的显卡仍然以DRAM模型为主，如有GDDR5仍然是一个主流的解决方案，而高端显卡部分则是将会以HBM作为未来的发展应用，不仅是HBM拥有更快的速度，同时拥有更有效的执行效率，也就是说它将会消耗更少的功耗，而能提供更高的性能表现。

　　三星早在2016年第一季度开始了HBM2内存的生产，而SK海力士对其HBM2芯片的计划生产将在本季度，并且在Hot Chips 28中两家公司都提出了他们对于HBM2以及未来HBM的发展路线图。对于未来的HBM的发展，SK海力士将对下一代HBM称之为HBM3或HBMx，而三星则称为xHBM或Extreme HBM。